SDRAM Refresh Mode

   SDRAM內部是由儲存陣列所組成，這個儲存陣列就像一個表格(Table)一樣，先指定好行(Row)，再指定列(Column)，我們就可以準確地找到所需要的欄位(Field)，這就是memory chip addressing的基本原理，這種Row-Column定址的方式稱為Multiplexing。對於Memory來說，這個Field我們稱為儲存單元(Cell)，也有廠商稱之為Word，而這個儲存陣列就是Logical Bank，簡稱L-Bank或Bank。

由於技術與成本的原因，我們不可能只做一個全容量的Bank，而且由於SDRAM的工作原理限制，單一個Bank會造成嚴重的Addressing Collision，大幅降低效率。所以我們會在SDRAM內部分割成多個Bank，目前SDRAM規範是4個，而DDR-II的標準則是8個。

SDRAM內部是許多電容所組成，電容的電荷狀態（charged or discharged）可以表示0和1的信息。它需要不斷的進行Refresh才能保持住Data，所以Refresh是SDRAM中最重要的操作。

Refresh命令分為2種：Auto Refresh(REF)和Self Refresh(SREF)。 Self Refresh。這種mode的功耗在1mA以下。在這種狀態下，SDRAM晶片自己完成refresh的操作，不需要SDRAM controller的控制（Auto refresh需要）。

目前Cell中電容的Data有效保存上限標準是64ms[常溫下]，高溫時需下修到46ms，也就是每一行的fresh循環週期是64ms。這樣刷新速度就是Row數量/64ms。在Data Sheet中，經常會看到4096 refresh cycles(tREF)/64ms或8192 refresh cycles(tREF)/64ms的標準，這裡4096或8192就代表這個SDRAM每個Bank中的Row數量。Refresh命令一次對一Row有效，所以發送間隔也是隨著Row數而變化，4096Row為15.625us，8192Row為7.8125us。

不管是哪種Refresh，都不需要外部提供Row Address，因為這是一個內部的自動操作。對於REF，SDRAM內有一個Row Address Generator(也稱Refresh Counter)用來自動依次生成Row Address。由於Refresh是對所有Bank操作，所以在Refresh時所有的Bank都停止工作，而每次Refresh所佔用的時間為9個clock(PC133標準)，這個時間稱為tARFC，之後才可以進入正常的工作狀態。而對於SREF則是主要用於休眠模式下的Data保持，在發出REF命令時，將CKE=Low就進入了SREF模式。此時不再依靠CLK工作，而是根據內部的CLK進行Refresh操作。在SREF期間，除了CKE之外的外部signal都是無效的，只有重新使CKE=High才能退出SREF模式。

              How is The Fourth Industrial Revolution?

                                 第四波工業革命無聲無息己開啟了?

討論第四波工業革命之前,先從工業革命談起,自1760年代起，英國棉紡織業使用瓦特製成的改良蒸汽機，大幅增加了棉紗產量，並在極短時間內改良蒸汽機，應用到採煤、冶金、交通運輸等各行各業，這就是俗稱的工業革命。此後二百多年之中，人類除了經歷蒸汽機時代的第一次工業革命，實現產業機械化以節省人力及牲畜力，更經歷電力時代的第二次工業革命，及在二十世紀中末期，從貝爾實驗室的第一顆電晶體啟步,電子計算機與電腦資訊網路時代帶領我們進入第三次工業革命。那個年代由miller 的microelectronics引導了我們繼續邁開腳步進入二十一世紀。

第四次工業革命-全面智能化-因奈米科技將積體電路由2D邁向3D立體製程,伴隨而來的類人類思維.由傳統人類思維判讀,取而代之的類人類思維時代來臨。無人車駕,無人商店及無人工廠其代表類人類思維的落實。從1760至今,短短二百多年由機械及內燃機動力替代了人力,加上資通訊自動化創造了全球人口及工業產値培增。

展望第四波,從目前耳熟能響的各種新科技,其中包括奈米可植入人惱技術、數位化身分、物聯網、3D列印、無人駕駛、無人商店、人工智慧、機器人、區塊鏈、大數據等技術變革是否能帶來下一世紀的全球人口及工業產値培增? 目前缺乏一種革命性的技術, 最近看了一份報導,看到一線曙光, 德國2030 年全面禁售燃油車,即新型動力全面替代內燃機的傳統動力，有助於新型動力的發展。筆者認為新型光速般的動力可以把人類快速移動的技術才能帶來顛覆性的影響。有了光速般的移動動力人類才能有機會探索外太空,找到適宜的星球提供下一世紀人類居住和資源,也才能創造出人口及工業產値培增的第四波工業革命。

      

Cache Memory

Cache Memory: 在Harvard CPU 架構分為Data/ instruction Cache 。Cache Memory 就是Fast SRAM+LRU circuit ! LRU是Least Recently Used的縮寫. 其FAST SRAM工作頻率與CPU同步。CPU如何知道Data是否在cache中，並且正確的從cache抓出想要的資料？

目前用的方法由Tag紀錄該cache所紀錄的資料並標示資料有效,當cache fill up時,依序first in & least recently used block就把least recently block 替換。早期在開發CPU也遇到因cache memory access time unsatisfied CPU maximum frequency 造成某些Application 產生exception error。

Intel 也宣佈其最新intel® Nervana™ Neural Network Processor family採用Deep learning 來manage cache 來提升Hit rate。

問一個簡單問題:

一個8位元的系統,其Address mapping 為16bit address，其Cache 採用Direct mapping, 每個block 為8位元,cache index 為4bits，試問實際上會需要多大的cache(e.g., for the data array, tags, etc.)?

Hint: tag bits = address bit length - exponent of index - exponent of offset

以色列成為新創事業的天堂

以色列成為新創事業的天堂。個人解讀有三大要素。

1.      全民皆兵,透過2~3年軍事化訓練,養成很好的, Self-disciplined ,individual responsibility 和 team work.

2.      國家有很好的規劃,依其IDF 來說,透過2~3年軍事化訓練,選出優秀的精英。這批精英經高教進入各行各業,成位創業的種子。

3.      新創事業成功獲利後,待價而沽。透過M&A過程注入新的活水。原創者帶著活水再新創事業。由淺潭變成大海,不斷吸引外資加入並成立研發中心。

創意工程師

創意工程師, 有價値的創意不是天馬行空,是勇於發掘問題,並利用Smart方法來解決己發掘的問題。據一個實例說明。在一個製靴的生産線其未端包裝區,常因工作人員的疏漏。忘記放置皮靴於包裝盒。為了避免空盒出貨需廠區需增加一個人力來未端包裝區檢查每一個包裝盒。有一位聰明的作業人員。利用工業電風扇對著的未端包裝區吹。當空盒經過時自動被吹倒。聰明的你會怎麼做?


Creative engineers, the value of the idea is not abstract, is the courage to explore the problem, and use the Smart method to solve the problem has been excavated. Show you an example. In a shoe production line its end packaging area, often due to staff omission. Forget to put shoe in the box. In order to avoid empty box shipments to be plant area need to add a manpower to the end of the packaging area to check every box. There is a clever operator. Use the industrial fan to blow the opposite end of the packaging area. When the empty box is automatically blown down. What would you do with smart?

電子設備接地與保護三步曲

                                         電子設備接地與保護三步曲

       話說自富蘭克林在雷雨中放一隻線串上鑰匙的風箏成功引發閃電貼近地面放電以來(姑且相信這段故事)。

       人類對發電、用電等技術己很熟習、近來因半導體製程趨於低電壓低功耗從bipolar 製程到CMOS製程對各式電磁雜訊及雷擊二次感應侵襲非常敏感、筆者利用幾頁篇幅將過往處理防雷雜訊的經驗與讀者分享。

       第一步曲,先從源頭談起、電力系統主要由發電、輸電、配電及負載等四個子系統組成。初期之輸、配電系統以裸導線架空線路為主，因此線路易遭受雷擊之侵襲，直接或間接引起設備過電壓之絕緣破壞，進而影響供電品質。有鑑於此，電力公司於高雷擊區域採用架空地線、避雷器等相關保護設施進行加強保護，藉以防制雷害並提高供電可靠度及穩定度。

在輸電,用電過程中因其保護目的不同分別列舉如下:

(1)架空地線接地：以雷擊防護為目的。

(2)中性線接地：系統對地短路故障偵測防護為目的。

(3)設備接地：其目的為設備保護及人員感電防護。

                首先聊一下雷擊防護、 台灣屬於多雷區,尤其近郊山區、架空地線主要可防止相導體遭直接雷擊，為完全有效導引雷擊電流，每支電桿均需接地，接地電阻視系統之「臨界閃絡電壓」CFO(Critical Flashover Voltage, 50%機率閃絡電壓)而定，以 CFO 350kV 而言，接地電阻需小於40Ω；若系統 CFO 低於 200kV 則接地電阻需小於 10Ω。

依據IEC 62305-2 因雷擊造成的破壞分類為三項:

D1由於電擊對生命的造成傷害及死亡;

D2由於雷擊造成火災，爆炸，機械和化學反應;

D3由於雷擊導致電氣和電子系統故障的激增。

另外依據IEC 62305-2造成人命及財產損失分類如下:

L1 造成人員的傷亡 (Loss of human life injury to or death of persons);

L2 造成公共服務停擺( Loss of service to the public);

L3 造成文化遺産的破損( Loss of cultural heritage);

L4造成經濟損失 (Loss of economic value).

　　一般避雷針的副作用在其半徑50米產生二次感應雷擊效應，雷電電流經過避雷針導地時感應到建物內的電源線上。

依照直接落雷點來分區為四區:

S1對結構的直接雷擊(Direct lightning strike to a structure);

S2結構附近的雷擊(Lightning strike near a structure);

S3直接雷擊到電力輸入端(Direct lightning strike to an incoming line);

S4接近線路的雷擊(Lightning strike near an incoming line);

透過上述分類有助於風險評估。

                               圖示1 :  直接落雷點雷點分區

                第二步曲,來談談從己知雷擊特性如何做好防護，電源系統的防護弱電設備由於其運行電壓低(幾伏或十幾伏)，電流小(毫安級),頻率高.其防禦電源線路的過電壓能力，大大低於電力設備 和電力線路.一般都是根據截斷感應源, 重點保護的策略,使瞬間過電壓, 電流被抑制到計算機、通信、儀表設備能夠承受大安全狀態。防雷器分級保護原理：IEC(國際電工委員會)定義了防雷的保護分區，根據保護分區的要求，需要在每個分區的交界處安裝相應的防雷器，即第一級為B級防雷器，第二級為C級 防雷器，第三級為D級防雷器。

                其工作原理為利用分級的防雷器層層泄放雷電感應的能量，逐漸減低浪湧電壓，從而保護用戶終端設備。因應雷擊其保護方式是加裝Surge protection device來保護電子設備及人員安全。

Type 1(B級)防雷在變壓器低壓電源輸出端(即機房市電輸入總配電箱處)配置安裝三套電源SPD，最大通流容量50KA(10/350μs)，保護水平小於4KV。若開關型SPD和限壓型SPD做級聯配合且間距太小時，應考慮串聯退耦裝置。

Type 2(C級)防雷在機房三相交流電源輸入端安裝電源SPD，標稱放電電流為40KA，最大放電電流為80KA，電壓保護水平為小於2.5KV。

Type 3(D級)防雷在機房重要設備(如：程控交換機、服務器、收發接受器等)電源輸入端安裝0單相電源SPD，標稱放電電流為20KA，最大放電電流為40KA，電壓保護水平小於1.8KV。

          圖示2 :  根據保護分區Surge Protection Device

            圖示3 :  沒有防雷器的分區SPD 施工圖

                  圖示4 :  有防雷器的分區SPD 施工圖  

         最後來談談一般數位信號線路的雷電防護。按lightning protection system (LEMP)IEC62305-3通過靜電感應，高電位反擊，直擊等方式竄入外接信號線，再進入設備，造成接口和設備損壞的情況非常嚴重。這是因為信息線路又多又長，易於感應，一般都采用屏蔽，接地，安裝防護設施。

                  

                                          圖示5 :  依據LEMP 分類防雷分區            

取自http://www.dehnargentina.com.ar/descargas/pdf/BBP_E_Chapter_07.pdf

LPZ 0A:易造受直接雷擊，因而可能必須傳導全部的雷電流。LEMP*無衰減（例如大樓外部，而且不在避雷針保護範圍內的部分）。

LPZ 0B:不易造受直接雷擊，但 LEMP* 無衰減（例如大樓外部，但在避雷針保護範圍以內的部分）。

LPZ 1:不易造受直接雷擊，但 LEMP* 比LPZ 0B區 有衰減（例如鋼筋水泥框架結構大樓內部）。

LPZ 2:後續防雷區2，較LPZ 1區進一步減小傳導電流或電磁場 （例如大樓內部的遮罩機房）。

LPZ 3:後續防雷區3，隨著要求可以進一步設立防雷分區 （例如遮罩機房內的遮罩接地的主機櫃）。

圖示6 :  高科技廠房採用網狀地籠保護

                           圖示7 :  通訊缐Shielding接地施工圖

                     圖示8 :  設備單點接地與Mesh接地施工圖

                               

               電纜屏蔽用於降低其效果對有源線路的干擾和乾擾從活動線發射到鄰近系統。從雷電的角度來看，浪湧保護，必須注意以下屏蔽線應用：

 屏蔽層接地通常採用兩種方式來處理：屏蔽層單端接地和屏蔽層雙端接地。

(1)屏蔽層單端接地是在屏蔽電纜的一端將金屬屏蔽層直接接地，另一端不接地或通過保護接地。

在屏蔽層單端接地情況下，非接地端的金屬屏蔽層對地之間有感應電壓存在，感應電壓與電纜的長度成正比，但屏蔽層無電勢環流通過。單端接地就是利用抑制電勢電位差達到消除電磁干擾的目的。

                                       圖示9 :  屏蔽層單端接地圖

這種接地方式適合長度較短的線路，電纜長度所對應的感應電壓不能超過安全電壓。靜電感應電壓的存在將影響電路信號的穩定，有時可能會形成天線效應。

(2) 雙端接地是將屏蔽電纜的金屬屏蔽層的兩端均連接接地。

在屏蔽層雙端接地情況下，金屬屏蔽層不會產生感應電壓，但金屬屏蔽層受干擾磁通影響將產生屏蔽環流通過，如果地點A和地點B的電勢不相等，將形成很大的電勢環流，環流會對信號產生抵消衰減效果。

                                   圖示10 :  屏蔽層兩端均連接地圖

(3)屏蔽電纜的屏蔽層為什麼不能重複接地？其有幾項條件需取捨。

A:兩端的接地點難保沒有電位差，有電位差就會有微弱電流，使屏蔽層實際上變成了接地線。

B:兩端接地的屏蔽線工作於高頻干擾較為嚴重地工作現場，會因屏蔽層和內部信號線間形成的線電容耦合到信號迴路，嚴重的將影響信號誤判。

C:各種感應器連接至PLC I/O端子,信號線屏蔽層必須單端接地於PLC PE 端,降低電磁干擾衝擊到控制器。

D:在電感性負載干擾磁場區域, 兩端屏蔽線需接地,避免電磁場影响信號。

E:低於1M bps通訊基本上使用绞線即可,除非其線段曝露於LPZ0,需利用PVC包傅以避免間接雷擊。

F: 信號線超過200M時,應考慮中心抽頭並屏蔽線接地,所謂多點接地來降低因其容抗值。

一般電子產品其抗磁場干擾可透過坊間EMC實驗室依據法規來通過測項,因其針對產品待測物來測試,故其結果儘供參考。

就系統面來說,因其設備多樣性及各種信號線交錯,其解決雷擊,干擾及接地等遠比單一電子產品複雜太多,故需分級分區來評估其風險。上述內容是筆者整理多年的實務經驗,也只能解決部份的解決方案。

Electrostatic Discharge Immunity Test (ESD, IEC 61000-4-2)	Air Discharge  Level 3: ±8KV Level 4: ±15KV
	Contact  Discharge Level 2: ±4KV Level 3: ±6KV Level 4: ±8KV2G
Electrical Fast Transient Burst Immunity Test (EFT, IEC 61000-4-4)	AC Power Level 2: ±1KV Level 3: ±2KV Level 4: ±4KVDC
	DC Power Level 2: ±1KV Level 3: ±2KV Level 4: ±4KV
	I/O line Level 2: ±0.5KV Level 3: ±1KV Level 4: ±2KV
Surge Immunity (IEC 61000-4-5)	AC Power (1.2/50 us) Level 2: L-E ±1KV; L-L ±0.5KV Level 3: L-E ±2KV; L-L ±1KV Level 4: L-E ±4KV; L-L ±2KVl
	DC Power (1.2/50 us) Level 1: ±0.5KV Level 2: ±1KV Level 3: ±2KV Level 4: ±4KV
	I/O line Level 2: ±1KV Level 3: ±2KV Level 4: ±4KV

圖示11 :  工業設備耐受性測試項目