SDRAM Refresh Mode

   SDRAM內部是由儲存陣列所組成，這個儲存陣列就像一個表格(Table)一樣，先指定好行(Row)，再指定列(Column)，我們就可以準確地找到所需要的欄位(Field)，這就是memory chip addressing的基本原理，這種Row-Column定址的方式稱為Multiplexing。對於Memory來說，這個Field我們稱為儲存單元(Cell)，也有廠商稱之為Word，而這個儲存陣列就是Logical Bank，簡稱L-Bank或Bank。

由於技術與成本的原因，我們不可能只做一個全容量的Bank，而且由於SDRAM的工作原理限制，單一個Bank會造成嚴重的Addressing Collision，大幅降低效率。所以我們會在SDRAM內部分割成多個Bank，目前SDRAM規範是4個，而DDR-II的標準則是8個。

SDRAM內部是許多電容所組成，電容的電荷狀態（charged or discharged）可以表示0和1的信息。它需要不斷的進行Refresh才能保持住Data，所以Refresh是SDRAM中最重要的操作。

Refresh命令分為2種：Auto Refresh(REF)和Self Refresh(SREF)。 Self Refresh。這種mode的功耗在1mA以下。在這種狀態下，SDRAM晶片自己完成refresh的操作，不需要SDRAM controller的控制（Auto refresh需要）。

目前Cell中電容的Data有效保存上限標準是64ms[常溫下]，高溫時需下修到46ms，也就是每一行的fresh循環週期是64ms。這樣刷新速度就是Row數量/64ms。在Data Sheet中，經常會看到4096 refresh cycles(tREF)/64ms或8192 refresh cycles(tREF)/64ms的標準，這裡4096或8192就代表這個SDRAM每個Bank中的Row數量。Refresh命令一次對一Row有效，所以發送間隔也是隨著Row數而變化，4096Row為15.625us，8192Row為7.8125us。

不管是哪種Refresh，都不需要外部提供Row Address，因為這是一個內部的自動操作。對於REF，SDRAM內有一個Row Address Generator(也稱Refresh Counter)用來自動依次生成Row Address。由於Refresh是對所有Bank操作，所以在Refresh時所有的Bank都停止工作，而每次Refresh所佔用的時間為9個clock(PC133標準)，這個時間稱為tARFC，之後才可以進入正常的工作狀態。而對於SREF則是主要用於休眠模式下的Data保持，在發出REF命令時，將CKE=Low就進入了SREF模式。此時不再依靠CLK工作，而是根據內部的CLK進行Refresh操作。在SREF期間，除了CKE之外的外部signal都是無效的，只有重新使CKE=High才能退出SREF模式。